Gå til innhold

Hvor smått er egentlig 45 nm?


Anbefalte innlegg

Hva er egentlig vitsen med de runde platene intel alltid viser bilde av? :dontgetit:

Det er silikonwafere, som er råmaterialet for å lage mikrobrikker. På bildet til denne artikkelen ser du at det er et mønster i waferne, det betyr at kretsene allerede er delvis laget ferdig på waferen.

 

 

Da spør jeg deg, min venn, hvordan ville du oversatt "Sillicon Valley"?

 

Er det hjemstedet til Jenna Jameson :p

 

 

Tenker vi oversetter sillicon til SILISIUM, og ikke silikon.

Lenke til kommentar
Videoannonse
Annonse

Det er silikonwafere, som er råmaterialet for å lage mikrobrikker.

 

 

Da spør jeg deg, min venn, hvordan ville du oversatt "Sillicon Valley"?

 

Er det hjemstedet til Jenna Jameson :p

 

 

Tenker vi oversetter sillicon til SILISIUM, og ikke silikon.

Hehe, det har du rett i, gikk nok litt fort i svingene her :p Hvordan oversetter man forresten "sillicon wafers"?

 

"Silisiumkjeks" kanskje? :p

Lenke til kommentar
Hvor langt ned kan vi gå med de materialene vi bruker i dag? Mener å ha hært snakk om tidligere at det ikke er så mange flere gangene de kan halvere transistorstørrelsen før vi treffer visse bunnpunkt (En transistor må vel bestå av i alle fall et par silisiumsatomer?)

 

Etter 45nm er det snakk om 32nm, deretter 22/23nm og så 15/16nm om jeg ikke husker feil. Men allerede nå sier man at man vil ha problemer med å komme under 22/23.

 

Det er vel en grense der elektronene i silisiumatomene ikke lenger forholder seg til rett atomkjerne. Altså hopper litt frem og tilbake. Jeg mente at denne grensen kom allerede på 32nm, men mulig jeg tar feil :) Når man når denne størrelsen blir det vel som nevnt i denne tråden mer forskning på nanoteknologi, eller også kvantemekanisk som det blir nevnt.

 

Spennende ;)

Lenke til kommentar
Hvor langt ned kan vi gå med de materialene vi bruker i dag? Mener å ha hært snakk om tidligere at det ikke er så mange flere gangene de kan halvere transistorstørrelsen før vi treffer visse bunnpunkt (En transistor må vel bestå av i alle fall et par silisiumsatomer?)

 

Etter 45nm er det snakk om 32nm, deretter 22/23nm og så 15/16nm om jeg ikke husker feil. Men allerede nå sier man at man vil ha problemer med å komme under 22/23.

 

Det er vel en grense der elektronene i silisiumatomene ikke lenger forholder seg til rett atomkjerne. Altså hopper litt frem og tilbake. Jeg mente at denne grensen kom allerede på 32nm, men mulig jeg tar feil :) Når man når denne størrelsen blir det vel som nevnt i denne tråden mer forskning på nanoteknologi, eller også kvantemekanisk som det blir nevnt.

 

Spennende ;)

 

Så vidt jeg forstår er elektronmigrasjon noe som oppstår pga av at isolasjonen ikke er tilfredsstillende. Dette er et teknologisk "problem" og ble løst for 65 nm-teknologien og er en utfordring videre også. Den blir selvfølgelig en utfordring for ingeniørene på 32 22 og 18 nm produksjonsteknologiene.

Korriger meg om jeg tar feil.

Lenke til kommentar

Trodde elektronmigrasjon skyldes for høy strøm gjennom en for tynn leder, og gjerne for høy temperatur (for dårlig kjøling).

 

"Motion of ions of a metal conductor (such as aluminum) in response to the passage of high current through it. Such motion can lead to the formation of "voids" in the conductor, which can grow to a size where the conductor is unable to pass current. Electromigration is aggravated at high temperature and high current density and therefore is a reliability "wear-out" process. Electromigration is minimized by limiting current densities and by adding metal impurities such as copper or titanium to the aluminum."

 

Electromigration is an effect that occurs when an extremely dense electron flow knocks off atoms within the wire and moves them, leaving a gap at one end and high stress at the other. In a chip, the formation of such a void will cause an open circuit and result in a failure. At the other end, the increase of stresses can cause fracture of the insulator around the wire and shorting.

 

Når transistorene blir mindre, må en derfor også senkte signalstyrken pr transistor, hvis ikke vil "strømmen" bli for stor i forhold til lederens tversnitt.

 

Er også mulig dette skjer ved for tynn isolasjon mellom ledere, men har ikke noe kilde på dette.

Lenke til kommentar

Opprett en konto eller logg inn for å kommentere

Du må være et medlem for å kunne skrive en kommentar

Opprett konto

Det er enkelt å melde seg inn for å starte en ny konto!

Start en konto

Logg inn

Har du allerede en konto? Logg inn her.

Logg inn nå
×
×
  • Opprett ny...