AMD og IBM annonserer 45 nm-prosess

[int20h]

Samtidig som Intel demonstrerte 45 nm-prototyper, har IBM og AMD introdusert sin egen 45 nm-teknikk for masseproduksjon til neste år.

Les mer

[Malvado]

Som sagt, dette ser bra ut for oss forbrukere. Gleder meg til cpu'ene er tilgjengelig på markedet.

 

Edit : Veldig kjipt at amd skal bruke så lang tid på å ta i bruk produksjonsprossesen, det er lenge å vente til 2008.

Endret 30. januar 2007 av Malvado

[2bb1]

Blir nok såpass lenge og vente at jeg heller går for Intel, men bra de kommer i gang i alle fall

[Anders Jensen]

Finnes den eksakte teksten IBM bruker for å beskrive bruken av High-k materialer? Tror ikke de har klart å bruke den i gate isolasjonen. Hva som menes med "high-k metal" aner jeg ikke. Det er i beste fall difust.

[Simen1]

Edit : Veldig kjipt at amd skal bruke så lang tid på å ta i bruk produksjonsprossesen, det er lenge å vente til 2008.

7829918[/snapback]

AMD har lovet å krympe inn forspranget intel har på produksjonsteknikk. For 65mn tok det ca 10 måneder fra Intel leverte 65nm i Februar 2006 til AMD leverte 65nm i Januar 2007. Dette forspranget er lovet å krympes inn. AMD samarbeider med IBM om å krympe forspranget.

 

I følge visepresidenten i intel, Steve Smith, vil de levere 45nm prosessorer en gang i 2. halvår 2007, nærmere bestemt "innen årets slutt" fra 2 av de 21(?) fabrikkene sine. En tredje fabrikk vil komme etter i løpet av første halvår 2008.

 

AMD lover på sin side å ha masseproduksjon av 45nm fra midten av 2008.

 

[Mr Burns]

Finnes den eksakte teksten IBM bruker for å beskrive bruken av High-k materialer? Tror ikke de har klart å bruke den i gate isolasjonen. Hva som menes med "high-k metal" aner jeg ikke. Det er i beste fall difust.

7830107[/snapback]

 

IBM har ikke gitt så mye info om det, ifølge Digi. Digi har i det minste litt om Intels 45 nm teknikk.

[Simen1]

Finnes den eksakte teksten IBM bruker for å beskrive bruken av High-k materialer? Tror ikke de har klart å bruke den i gate isolasjonen. Hva som menes med "high-k metal" aner jeg ikke. Det er i beste fall difust.

7830107[/snapback]

Definisjonen på "high-k" i denne konteksten er høyere dielektrisitetskonstant enn SiO2 som er 3,9. IBM er kjent for å ligge langt fremme på forskning innen dette feltet så jeg er ikke vantro til at de klarer noe tilsvarende til det intel klarer. Variasjoner mellom løsningene til IBM/AMD og intel vil det nok alltids være, både fordi teknologien er utviklet individuellt, har forskjellig historisk grunnlag og patentmessige begrensninger. F.eks regner jeg med at IBM kommer til å bygge videre på FD-SOI-teknikken mens Intel velger en annen rute.

[Simen1]

Litt mer info jeg klarte å grave frem etter litt leting. (Riktignok en måned gammelt)

 

 

PS. Low-k er ønskelig i de øvre lagene av waferen, der ledningene mellom transistorene går. High-k er ønskelig sentralt i transistoren (gate), helt nederst under alle ledningene.

[Håkki]

Sommeren 2008 kommer AMD ut med 45nm. LEEENGE til. De har knapt begynt med 65nm.

[Anders Jensen]

F.eks regner jeg med at IBM kommer til å bygge videre på FD-SOI-teknikken mens Intel velger en annen rute.

7830238[/snapback]

Veikartene til Intel har vel inkludert FD-SOI som en mulighet ganske lenge...

 

Fortsatt ikke sett noe som tyder på at IBM kommer med high-k GOX. Mulig de har High-k et eller annet sted, men hvem bryr seg? Det er GOX som er den store flaskehalsen.

[Simen1]

Fortsatt ikke sett noe som tyder på at IBM kommer med high-k GOX. Mulig de har High-k et eller annet sted, men hvem bryr seg? Det er GOX som er den store flaskehalsen.

7830673[/snapback]

IBM, AMD Announces 45nm Chip High-K Gate Process. Ordene "High-K Gate" bør vel være en klar indikasjon på hvor de har tenkt å bruke High-K materialet. (Hvor ellers ville det vel vært en fordel å bruke det på prosessorer?)

 

Hvem som bryr seg? Vel, vanlige folk bryr seg ikke om hvordan teknikken fungerer under lokket. De er bare interessert i at det fungerer .. bra og til en god pris.

 

Videre står det i artikkelen:

IBM has found a way to construct a critical part of the transistor with high-k metal gates, that substitutes a new material into a critical portion of the transistor that controls its primary on/off switching function. The material provides superior electrical properties compared to its predecessor, silicon dioxide, enhancing the transistor's function while also reducing leakage.

[Prognatus]

Interessant å se hvordan konkurransen mellom Intel og AMD har skiftet fra rå ytelse til teknologiske forbedringer. Intel har mer ressurser under eget tak, mens AMD må støtte seg på IBM. Det er også interessant å se at produksjonstiden (levetiden) for prosessorene blir kortere, før en ny plattform tar over. Racet for best mulig teknologi tvinger begge selskaper til å fornye seg i hurtigere tempo enn før. AMD har jo også uttalt at de synes Intel går for fort frem på bl.a. DDR3.

 

Dette betyr økte kostnader og mindre inntjening på hver generasjon/plattform de lager. Dvs. sitronen skvises i kortere tid enn før. Jeg tror dette betyr at prosessorene vil bli dyrere.

[Anders Jensen]

The material provides superior electrical properties compared to its predecessor, silicon dioxide, enhancing the transistor's function while also reducing leakage.

7830760[/snapback]

Det var i allefall relativt klar tale... Hadde ikke skadet om de explisit sa at de skulle bruke high-k isolasjon i gate. Litt overraskende egentlig siden det har vært påstått at Intel ville bli de eneste til å bruke high-k GOX på 45nm fra starten av. Resten var ventet å komme etter på 32nm.

[efikkan]

Jeg håper at denne overgangen går raskt og smertefritt så det blir god konkurranse fremover.

 

Men ny produksjonsteknikk og transistorer med mindre effektforbruk gir vel i seg selv ikke bedre ytelse, men muliggjør høyere frekvenser osv.

[Simen1]

The material provides superior electrical properties compared to its predecessor, silicon dioxide, enhancing the transistor's function while also reducing leakage.

7830760[/snapback]

Det var i allefall relativt klar tale... Hadde ikke skadet om de explisit sa at de skulle bruke high-k isolasjon i gate. Litt overraskende egentlig siden det har vært påstått at Intel ville bli de eneste til å bruke high-k GOX på 45nm fra starten av. Resten var ventet å komme etter på 32nm.

7831961[/snapback]

Du har klippet bort den setningen der det sto at det var snakk om high-k gate. Vet du om noen andre plasser på en chip man finner gate og som overskriften i artikkelen kunne tolkes til?

[Anders Jensen]

The material provides superior electrical properties compared to its predecessor, silicon dioxide, enhancing the transistor's function while also reducing leakage.

7830760[/snapback]

Det var i allefall relativt klar tale... Hadde ikke skadet om de explisit sa at de skulle bruke high-k isolasjon i gate. Litt overraskende egentlig siden det har vært påstått at Intel ville bli de eneste til å bruke high-k GOX på 45nm fra starten av. Resten var ventet å komme etter på 32nm.

7831961[/snapback]

Du har klippet bort den setningen der det sto at det var snakk om high-k gate. Vet du om noen andre plasser på en chip man finner gate og som overskriften i artikkelen kunne tolkes til?

7833094[/snapback]

Nå har det seg slik at jeg har designet både analoge og digitale CMOS kretser så jeg vet til en viss grad hva jeg babler om... Har sett hele tiden at de snakker om gate, men det var først i den delen jeg quota at det kom fram at det var snakk om å bytte ut silisiumoksidet, som igjen kun benyttes i GOX i selve gate stacken. Tidligere har de skrevet mye om High-k metal gate, noe som er omtrent like presist som å skrive pigghjul i steden for piggdekk. Kunne virke som om de beskriver selve gaten som high-k og lagd av metall, noe som forsåvidt kunne hatt noe for seg.

Endret 30. januar 2007 av Anders Jensen