Gå til innhold

Trenger hjelp til valg av transistor


Anbefalte innlegg

Jeg driver på å lager en vifte styring som skal starte viften ved en gitt temperatur. Og dermed har kommet fram til at jeg skulle bruk en transistor som bryter. Men så har jeg det problmet at jeg ikke greier å finne en passende transistor hos elfa.

 

Jeg har forsåvidt sett på noen få, og dette er den jeg tror passer bra. Men jeg er ikke helt sikker.

 

BC337-16/Ph

Art. Nr: 71-049-79

 

Transistoren må tåle 12 V

og en belasting på MINST 0,5 A

Endret av Dj_eLmO
Lenke til kommentar
Videoannonse
Annonse

Skal du ha en NPN eller PNP?

 

Uansett: BD 137-140 eller TIP 31/32.

Til ditt bruk er ikke valget så kritisk, så jeg valgte ut noen rimlige.

 

BC337 er for dårlig, du trenger effekttransistor dersom du skal ha en belastning på 0,5A. Kjøleplate må du sikkert ha også. :)

Lenke til kommentar

BC337-16/Ph vil fungere om du kun skal ha av/pa styring av vifta. Den tåler 0.5A og 0.8W.

 

Om du bruker den som bryter, så vil effektutviklingen over transistoren bli 0.5A*0,7V = 0.35W. under 0.8 W ;)

 

Koble opp som det er på tegningen under, (ja jeg veit jeg er proff i paint :p )

 

Ut fra styringen må du ha +12V når vifta skal gå (og 0V når vifta ikke skal gå), og dette vil føre til at du får en maks viftespenning på ca 11.3V.

post-31491-1146394570_thumb.jpg

Lenke til kommentar

Hvor har du det fra at det vil bli 0,7 volt spenningsfall over transistoren (U c-e)?

PS: Tegningen din er også feil. :)

 

Men uansett, småsignaltransistorer har en svært høy termisk resistans mot omverdenen(Rth j-a), her 0.2 C per mW. Altså vil maksimal effekt du kan kunne omsette være:

Pk = (ts - to)/Rthj-a = (100C-50C)/200CW = 0,25W

Dette forutsatt at omgivelsestemperaturen er 50 grader (ikke uvanlig inne i ett kabinett) og at vi ikke ønsker at transistorens sperresjikt skal bli høyere enn 100 grader (150 er absolutt maks).

 

Og med 250mW som maks effektomsetning må Uce være under 0,2v og det tror jeg ikke den transistoren klarer i full metning. Det bli isåfall såvidt, og det er jo egentlig ingen vits i å ta noen sjanser eller hva?

Endret av NorthWave
Lenke til kommentar

Helt grei oppkopling det der Dj_eLmO, men jeg ville nok heller brukt en OPAMP til det formålet. Da kan du drive en effekttransistorer rett fra utgangen, og du slipper beregninger på strømmer og slikt.

Kan tegne opp skjema dersom du er interessert. :)

Lenke til kommentar

Koblingen min er ikke feil, du bare kobler det opp på en annen måte.

Man bruker ikke transistoren som bryter, men som spenningsregulator.

 

 

Man legger 12V til basen på transistoren, og av diodeovergangen mellom BE så blir det 0.7V spenningsfall (vanlig silisium). Da må transistoren styre så Emitteren blir lagt til 11.3V (12V-0,7V) altså blir spenningsfallet CE over transistoren 0.7V.

 

Det du sier om at transistoren ikke vil greie effekten, er tull. Effekten er betegnet som den effekten transistoren greier ved 25 grader romtemperatur.

 

Dessuten så blir effekttapet på transistoren kun 0.35W, så den vil fortsatt overleve inne i et kabinett med 50 grader..

 

 

Er ganske brisen nå, så er godt mulig jeg har noen skrivefeil her, menmen :p

 

Ha det kult i natt a folkens! :D

Lenke til kommentar
Helt grei oppkopling det der Dj_eLmO, men jeg ville nok heller brukt en OPAMP til det formålet. Da kan du drive en effekttransistorer rett fra utgangen, og du slipper beregninger på strømmer og slikt.

Kan tegne opp skjema dersom du er interessert. :)

6017816[/snapback]

 

Det er litt sent med skjema med OPAMP. Har bestilt alle delene.

 

Planen var i førsteomgang å bruke en OPAMP, men så var jeg ikke helt sikker på hvordan man skulle koble den, så jeg gikk for noe jeg kunne litt bedre.

Lenke til kommentar
Koblingen min er ikke feil, du bare kobler det opp på en annen måte.

Man bruker ikke transistoren som bryter, men som spenningsregulator.

Ja, ser det nå at kretsen vil fungere. :) Men man har to ulemper:

1: bas må drives til 12v, ikke mulig med TTL logikk, noe det ser ut som at han bruker her.

2: Man vil få 0,7v spenningsfall over CE og ikke 0,2-0,3v som man kunne klart i full metning, noe som resulterer i lavere maks-spenning og høyere effektomsetning.

 

Effekten er betegnet som den effekten transistoren greier ved 25 grader romtemperatur.

Ja, og den effekten jeg regnet ut er effekten den vil klare dersom omgivelsentemperaturen stiger til 50 grader. :) Den vil helt sikkert tåle det, i alle fall en stund, men jeg ville ikke designet det slik. Men så er jeg kanskje litt pirkete også da :p

Lenke til kommentar

Opprett en konto eller logg inn for å kommentere

Du må være et medlem for å kunne skrive en kommentar

Opprett konto

Det er enkelt å melde seg inn for å starte en ny konto!

Start en konto

Logg inn

Har du allerede en konto? Logg inn her.

Logg inn nå
  • Hvem er aktive   0 medlemmer

    • Ingen innloggede medlemmer aktive
×
×
  • Opprett ny...