30 nm produksjonsteknikk i farta!

[int20h]

IBM har annonsert en ny måte å lage linjemønstere for produksjon av prosessorer som forventes å forlenge levetiden til dagens halvledertekikk betydelig.

Les mer

[Anders Jensen]

Nok en makabert villedende artikkel fra hw.no

 

Her er noe relevant info om saken, til en forandring:

IBM saves chipmaking kit from an early bath

 

Dette handler egentlig om å holde liv i en gammel traver; 193nm litografi. 157nm litografi og EUV er fremtiden, men noen kan kanskje spare en del penger på å bruke denne Nemo teknologien til IBM siden den forlenger livet til det svært utbredte 193 nm utstyret.

Endret 21. februar 2006 av Anders Jensen

[dizx]

Hvis du leser artikkelen, er det akkurat dette han skal frem til. At 193nm holder en stund til - altså til å lage 29,9nm pros. Og at man dermed slipper dyre investeringer ved å gå over til EUV enda.

Endret 21. februar 2006 av mortenaa

[Simen1]

Linjene på bildet ser rimelig kjedelige ut. Hadde det vært et fungerende SRAM-array (vanlig testmønster) så hadde det straks sett bedre ut.

 

En ting jeg har lurt på: Hvordan får de til å lage 30nm linjebredde med 193nm lys? Det er jo under 1/6 av bølgelengden. Innen lysmikroskopi er det jo en kjent grense at man aldri kan se detaljer som er mindre enn bølgelengden på lyset som benyttes. Hvordan kan da lys prege detaljer som er mindre enn bølgelengden?

 

Edit: Artikkelen som A.J. linket til oppklarte det meste. Men jeg har ennå til gode å se en prinsippskisse av det jeg nevnte.

Endret 21. februar 2006 av Simen1

[Skagen]

En ting jeg har lurt på: Hvordan får de til å lage 30nm linjebredde med 193nm lys? Det er jo under 1/6 av bølgelengden. Innen lysmikroskopi er det jo en kjent grense at man aldri kan se detaljer som er mindre enn bølgelengden på lyset som benyttes. Hvordan kan da lys prege detaljer som er mindre enn bølgelengden?

5640051[/snapback]

 

"I remember thinking 1 micron (a milestone the industry blew past in 1986) was as far as we could go" because of the wavelength of visible light used at the time, Moore said. Engineers then switched to ultraviolet light.

 

Progress was then supposed to stop at 0.25 microns, but it didn't. Now, the lines drawn on chips are smaller than the wavelengths of light used to draw them, which Moore likened to "breaking the laws of physics".

 

(Hentet fra en eldre artikkel her)

 

Ingeniørene er lure. De bryter fysikkens lover med teknikk. Morsomt

[Anders Jensen]

Jeg stussa også litt på nytteverdien av det mønsteret IBM viste frem. Siden det er laget ved interferens skulle en tro det er veldig komplisert å få til andre mønstre enn disse linjene.

 

Når det gjelder tegning av mønster med bredde mindre enn bølgelengden så er det helt klart problematisk pga spalte-effekten som oppstår i maskene, men det er fortsatt mye enklere å skvise litt lys gjennom en tynn spalte enn å se et objekt på størrelse med spalteåpningen. Jeg forstår ikke helt hvorfor Moore refererer til dette som noe brudd på fysikkens lover. Om avstanden mellom masken og waferen er liten så skal ikke interferenseffekten i spalten ha så mye å si. Nå kjenner jeg riktignok ikke til dagens prosessmetoder i detalj eller hvor de plasserer wafer og maske i forhold til hverandre. På EUV er det vel snakk om å bruke en maske som er mye større enn waferen og så konsentrere strålen etter at den har passert masken. Jeg antar at waferen og masken er mye nærmere og mer lik i størrelse for dagens 193nm litografi.

 

Knyttet til denne problematikken har en jo også fase-skift masker som reduserer interferens.

 

mortenaa: Jeg ble vel mest oppgitt over det totale fravær av relevante detaljer pluss elendige slengbemerkninger som at dette skal gjøre "knockout" på noe som helst. Dette er bare simpelt mønster på ca 30nm. Det finnes så langt jeg vet fungerende kretser på 22nm allerede. Det som er relevant er bruksverdien i masseproduksjon og tidspunkt for oppstart.

Endret 21. februar 2006 av Anders Jensen

[Simen1]

Jeg fant noen flere linker med info om nye litografi-teknikker. For de spesielt interreserte: 1 2 3 4 5 6

[Litejk]

Hvorfor må data teknologien gå så inni svarte fort? :!:

Her sitter jeg fortsatt med 130Nm teknologi liksom

:!:

[Theo343]

Forskning og utvikling ligger alltid langt foran marked. Det sies at man til enhver tid ligger 5-20 år foran markedet.

 

Så man må skille på hva som er forskning, utvikling og hva som er klart for markedet når man leser artikler.

Endret 21. februar 2006 av Theo343

[Codename_Paragon]

Forskning må gå med størst mulig hastighet om en teknologisk ledensde bedrift ikke skal tatt igjen av de som bare kopierer og produserer med svært lav margin.

 

Det å gå fra ledende til følgende er vondt, se bare på HP og Telenor.

[Oslo_erik]

Hvorfor må data teknologien gå så inni svarte fort?  :!:

Her sitter jeg fortsatt med 130Nm teknologi liksom

:!:

5640659[/snapback]

Nm som i Newtonmeter?

eller kanskje

nm som i nanometer?

[Oslo_erik]

Jeg stussa også litt på nytteverdien av det mønsteret IBM viste frem. Siden det er laget ved interferens skulle en tro det er veldig komplisert å få til andre mønstre enn disse linjene.

5640120[/snapback]

 

 

Hvor sto det at det var fremkommet ved interferens?

 

Og å lage mønster med mindre størrelse enn lystets bølgelenge er "uproblematisk". Det brukes bl.a. en teknikk med å legge en væskefilm på silisiumskiven og sende lyset gjennom den. Sto en lengre artikken om dette i Scientific American for en stund siden (et år siden eller noe sånt).