Dropper Pentium M for Yonah?

[Howard]

Intels nestegenerasjon prosessor for bærbare maskiner, Yonah, kan bli hetende noe annet enn Pentium M.

Les mer

[Simen1]

Napa inkluderer blant annet nye brikkesett med støtte for DDR2-675-minne.

Dette er vel en skriveveil? 675 er jo en svært utradisjonell hastighet som ikke passer over ens med noen FSB'er. Jeg antar det er 667 dere mener. (altså i realiteten 666,66..)

 

Ellers er det merkelig om Intel vil benytte "L" for de mindre effektkrevende enn "T", akkurat motsatt av AMD. Dette høres nesten ut som ATI og Nvidia som bruker XT og GT i motsatt betydning. Den ene bruker det som toppmodell, den andre bruker det som bunnmodell.

 

Kanskje det nye navnet blir Pentium DM ? for "Dual Mobile".

 

Ellers, så er jeg svært spent på etterførgeren Merom. Det er en helt ny brikke, ikke bare en oppgradering av gamle brikker slik Yonah og Dothan har vært. Det skal heller ikke være slektskap til Pentium4-serien (netburst). Så Merom forventer jeg virkelig et nytt navn på. Den er veldig forskjellig fra alt vi har sett til nå.

[Howard]

Takker, det skal selvsagt være DDR2-667

[G]

Bokstaven U gir 14 watt eller lavere for CPU modellene. Stilig, er det klart for vifteløse systemer da kanskje?

[Simen1]

Bokstaven U gir 14 watt eller lavere for CPU modellene. Stilig, er det klart for vifteløse systemer da kanskje?

4999875[/snapback]

Ja, det dukker nok opp flere "ultra-bærbare" slik som Dell X1.

[kjaks]

Intel har jo gått ut med fakta som "opp til 1000 ganger mindre effektlekkasje," så det blir veldig spennende å se hvordan dette påvirker de kommende produktene. Et stort skritt mot støyfrie pcer er det iallefall. Det eneste som må lage lyd er vel harddisken, men her finnes det jo støyfrie alternativer, om man liker å inngå visse komprimiss.

 

As if low power design weren't already a high priority for the silicon giant, Intel recently announced that it has developed a separate process technology for ultra-low power silicon products. According to Intel the ultra-low power process will significantly reduce leakage from the new 65 nm transistors, yet still provide advanced performance for new mobile, battery-operated devices. Test chips designed on the new process have shown leakage reduction up to 1,000 times that of the standard process. Intel engineers apparently made "several key transistor modifications" that drastically reduce three major leakage sources: gate oxide leakage, junction leakage, and sub-threshold leakage. The new process includes a second generation of Intel's strained silicon techniques, enabling more drive current while increasing the manufacturing cost only 2%. The advanced power efficiency should be welcomed by Geeks everywhere, increasing the power-efficiency standards among mobile platforms and increasing battery life for gadgets in the near future, I hope. For more information about the new technology, see the Intel press release

Endret 13. oktober 2005 av kjaks

[JohndoeMAKT]

kjaks : Var ikke den nye prosessen for StrongARM og XScale prosessorer og ikke x86 ?

 

Siemen1 : U = ULV, L = LV regner jeg med.

[kjaks]

kjaks : Var ikke den nye prosessen for StrongARM og XScale prosessorer og ikke x86 ?

5001475[/snapback]

 

Nei, ikke ifølge det som står i Intels press release:

 

http://www.intel.com/pressroom/archive/rel...0050920comp.htm

 

..men det står jo også at den nye prosessen skal benyttes i håndholdte maskiner ol.

Endret 13. november 2005 av kjaks