Gå til innhold

Verdens minste transistor kontrolleres med ett enkelt atom


Anbefalte innlegg

Videoannonse
Annonse

Stilig transistor. Sølv leder godt, så overgansmotstanden bør kunne bli lav (relativt sett.) Men uten halvledere er dette er ingen kjent topologi transistor. Undres på hvordan den virker. Får vel lese avhandlingen.

Men kjære Digi.no – Institusjonen heter da visserligen "Karlsruher Institut für Technologie." Riktig så anglofisert som artikkelen legger opp til trenger vi ikke bli, selv om KIT har mer som tilfeldig likhet med bokstavene MIT.

Endret av 1P4XZQB7
  • Liker 1
Lenke til kommentar

Men kjære Digi.no – Institusjonen heter da visserligen "Karlsruher Institut für Technologie." Riktig så anglofisert som artikkelen legger opp til trenger vi ikke bli, selv om KIT har mer som tilfeldig likhet med bokstavene MIT.

 

Instituttet bruker selv navnet Karsruhe Institute of Technology om man velger engelsk som språk på deres nettsider, og bruker dette i kommunikasjon på andre språk enn tysk.

  • Liker 1
Lenke til kommentar

Köln heter Cologne på engelsk og når de prøver å kommunisere på andre språk bruker de dette. Samme med Munich med flere. På norsk derimot  bruker vi tyske egennavn slik de er. Det er ikke vanlig blant utlendinger så de har jo ikke en egen side bare for nordmenn og kanskje dansker + svensker? Det betyr ikke at engelsk er riktig å bruke over tysk. Det er som om dere skulle skrevet Gamescon-messen i Cologne, det er jo tross alt det navnet de bruker i alt pressemateriale. Over på tek.no har de likevel skrevet Köln:

 

"Vises trolig frem i Köln"

https://www.tek.no/artikler/derfor-har-flere-butikker-et-gront-bilde-pa-facebook/443936

  • Liker 4
Lenke til kommentar

Det er fint og sånt med transistoren, men hvor mye av denne geleen trengs? På bildet er det selvsagt veldig mye siden det er prototype.

 

Et annet stort problem som virker å være der er strømlekkasje. Det skal være 1 atom avstand? Ja da kommer det jo til å hoppe over som bare det. Det er en av de største utfordringene ved moderne transistorer. Du kan lage de mindre, men i cutoff området blir avstanden så liten at elektroner bare hopper over selv når det er "stengt". Det er jo derfor de lagde FINFet. Det er for å få større overflateareal som de kan sette spenning/fjerne spenning for å styre det området. Slik at du ikke får elektronlekkasje.

 

20 nm fra TSCM og Samsung ble jo ikke brukt av AMD og Nvidia av en grunn. Og Qulacomm hadde mye problemer i sin Snapdragon serie. 20 nm var for lite til å ikke gjøre noe med elektronlekkasjen og den ble altfor stor.

 

Kanskje ikke så stort problem med et atom, men hva med 1 million slike? 1 milliard? Når det skal gå 100W+ (tilsvarende) over kretsen? Det  er en ting å få lav active power som de skryter av. Det er fint. Om den har 10x passive power derimot er det jo totalt ubrukelig. Det er utrolig vanskelig å balansere dette.

 

Så veldig bra jobbet i forhold til forskningsprosjekt, og universiteter gjør en veldig god jobb her. Derimot ikke overbevist omn at dette blir kommersielt på en stund, med mindre de kommer med noe for å hindre strømlekkasje, som det ikke virker som de har.

Lenke til kommentar

Köln heter Cologne på engelsk og når de prøver å kommunisere på andre språk bruker de dette. Samme med Munich med flere. På norsk derimot  bruker vi tyske egennavn slik de er. Det er ikke vanlig blant utlendinger så de har jo ikke en egen side bare for nordmenn og kanskje dansker + svensker? Det betyr ikke at engelsk er riktig å bruke over tysk. Det er som om dere skulle skrevet Gamescon-messen i Cologne, det er jo tross alt det navnet de bruker i alt pressemateriale. ...

 

Dette ergrer meg også. Selv Dagsrevyen har hatt reportasje fra "Lower Saxony". Dette gjelder nok mest tysk, men jeg har også sett Florence, Naples og Seville i norske artikler. Mitt tilsvar til journalisten i slike tilfeller er å spørre om det skjer noe tilsvarende i Gothenburg eller Copenhagen? De fleste tar poenget.

Lenke til kommentar

Instituttet bruker selv navnet Karsruhe Institute of Technology om man velger engelsk som språk på deres nettsider, og bruker dette i kommunikasjon på andre språk enn tysk.

 

Skal dere først oversette, så får dere nesten oversette videre til norsk der dette går. Altså "Karlsruhe Institutt for Teknologi." I motsatt fall kan vi jo like godt først som sist venne oss til "Norwegian University of Science and Technology" i Tronhome. Og sånn går nu dagan… 

 

Et annet stort problem som virker å være der er strømlekkasje. Det skal være 1 atom avstand? Ja da kommer det jo til å hoppe over som bare det. 

 

Lekkasjestrøm (og Tunneling [ENG]) er primært et fenomen i halvledermateriale. Her er det i henhold til artikkelen et reelt gap i mellom terminalene. Altså mer som et mekanisk relé. Vet dog intet om hvordan dette vil slår ut i praksis, annet som at spenningstålighet nok blir heller lav. 

Endret av 1P4XZQB7
Lenke til kommentar

Lekkasjestrøm (og Tunneling [ENG]) er primært et fenomen i halvledermateriale. Her er det i henhold til artikkelen et reelt gap i mellom terminalene. Altså mer som et mekanisk relé. Vet dog intet om hvordan dette vil slår ut i praksis, annet som at spenningstålighet nok blir heller lav. 

Kvantetunnelering var ikke et problem. Lekkasjestrøm var ubetydelig. Så ble transistorene mindre og mindre, helt til vanlige fysiske lover var i mindre og mindre grad gjeldene, og det er der det blir vanskelig. Fra Wikipedia:

 

"Quantum tunnelling is the quantum mechanical phenomenon where a particle passes through a potential barrier that it classically cannot surmount."

 

Så hvordan er du sikker på at disse fenomenene IKKE skal påvirke når det er kun 1 atoms avstand? Det er jo langt større område elektroner må passere i en halvleder. Et område som er sperret. 1 atoms lengde? Kommer til å hoppe over som bare det vil jeg tro. Hele poenget og problemet er at ting vi anser som barrierer, f.eks et mellomrom, ikke er barrierer på dette nivået.

  • Liker 1
Lenke til kommentar
  • 3 uker senere...

Det er fint og sånt med transistoren, men hvor mye av denne geleen trengs? På bildet er det selvsagt veldig mye siden det er prototype.

 

Et annet stort problem som virker å være der er strømlekkasje. Det skal være 1 atom avstand? Ja da kommer det jo til å hoppe over som bare det. Det er en av de største utfordringene ved moderne transistorer. Du kan lage de mindre, men i cutoff området blir avstanden så liten at elektroner bare hopper over selv når det er "stengt". Det er jo derfor de lagde FINFet. Det er for å få større overflateareal som de kan sette spenning/fjerne spenning for å styre det området. Slik at du ikke får elektronlekkasje.

 

20 nm fra TSCM og Samsung ble jo ikke brukt av AMD og Nvidia av en grunn. Og Qulacomm hadde mye problemer i sin Snapdragon serie. 20 nm var for lite til å ikke gjøre noe med elektronlekkasjen og den ble altfor stor.

 

Kanskje ikke så stort problem med et atom, men hva med 1 million slike? 1 milliard? Når det skal gå 100W+ (tilsvarende) over kretsen? Det  er en ting å få lav active power som de skryter av. Det er fint. Om den har 10x passive power derimot er det jo totalt ubrukelig. Det er utrolig vanskelig å balansere dette.

 

Så veldig bra jobbet i forhold til forskningsprosjekt, og universiteter gjør en veldig god jobb her. Derimot ikke overbevist omn at dette blir kommersielt på en stund, med mindre de kommer med noe for å hindre strømlekkasje, som det ikke virker som de har.

 

Det minner meg egentlig ganske mye om denne røverhistorien:

https://www.snopes.com/fact-check/drilled-wire/

 

Altså å skulle kunne vise fram hvem som er flinkest.

Lenke til kommentar

Opprett en konto eller logg inn for å kommentere

Du må være et medlem for å kunne skrive en kommentar

Opprett konto

Det er enkelt å melde seg inn for å starte en ny konto!

Start en konto

Logg inn

Har du allerede en konto? Logg inn her.

Logg inn nå
×
×
  • Opprett ny...