Denne skal gjøre elbillading 50 prosent mer effektiv

[Redaksjonen.]

Denne skal gjøre elbillading 50 prosent mer effektiv

[Twinflower]

Hvordan måler GaN seg mot silisiumkarbid (SiC)?

[DBCURDHY]

Hvordan måler GaN seg mot silisiumkarbid (SiC)?

 

Vil tro dårligere. Grunnen til at silisium benyttes i masseprodusert elektronikk er at det er svært billig, ikke fordi det har de beste egenskapene. Gallium har større elektronmobilitet enn silisiumnitrid samt at båndgapet er større. GaN er å foretrekke i kraftelektronikk under spenninger på ca. 900 volt og også i høyfrekvente effektforsterkere. I denne omformeren vil fordelene på moderate spenninger samt de overlegende høyfrekvente switcheegenskapene gjøre GaN bedre egnet enn SiC. Endret 21. mars 2016 av DBCURDHY

[Twinflower]

 

Hvordan måler GaN seg mot silisiumkarbid (SiC)?

 

Vil tro dårligere. Grunnen til at silisium benyttes i masseprodusert elektronikk er at det er svært billig, ikke fordi det har de beste egenskapene. Gallium har større elektronmobilitet enn silisiumnitrid samt at båndgapet er større. GaN er å foretrekke i kraftelektronikk under spenninger på ca. 900 volt og også i høyfrekvente effektforsterkere. I denne omformeren vil fordelene på moderate spenninger samt de overlegende høyfrekvente switcheegenskapene gjøre GaN bedre egnet enn SiC.

Vet du egentlig hva SiC er?

Det virker ikke slik på innlegget ditt.

[Ove Gram Nipen]

"Om du bruker 300 kilowatt i måneden..."

Det skulle vel vært kilowattimer. Det er ille nok at vanlige folk roter med kilowatt og kilowattimer, men TU bør klare å holde styr på sånt.

[hitokiri]

"Om du bruker 300 kilowatt i måneden..."

Det skulle vel vært kilowattimer. Det er ille nok at vanlige folk roter med kilowatt og kilowattimer, men TU bør klare å holde styr på sånt.

 

Hei!

Det er selvsagt helt riktig at det skal være kilowattimer, og jeg er enig i at vi i TU burde klare å holde styr på det.

 

Jeg skulle ønske jeg kunne si at dette var en engangsforteelse, men selv om jeg er stødig på hva forskjellen er, vil fingrene av og til noe annet når de farer over tastaturet.

 

Jeg satser på at dette er siste gang jeg må beklage en slik blemme, enten her i en kommentartråd, eller på e-post.

 

Takk for tilbakemeldingen!

 

Mvh

Marius Valle

TU

[OCSpro]

Artikkelforfatter er veldig konsekvent på at det brukes galliumnitritt-transitorer, men det skal vel være galliumnitrid og ikke -nitritt?

Teoretisk så vil GaN-komponenter ha lavere tap og svitsje raskere enn SiC-komponenter. Men SiC industrien har et stort forsprang i leverbar materialkvalitet og produksjonsteknikk, og vil dominere i sjiktet over 900V i nær fremtid slik som DBCURDHY nevner.

Transistorstrukturen og innpakningen til GaN transistorene du får kjøpt idag gjør at de er raskere å svitsje enn tilgjengelige SiC MOSFETer. Videre er det forventet at GaN-komponentene blir billigere enn SiC-komponenter i samme spenningsklasse.

Endret 21. mars 2016 av OCSpro

[tow]

Om virkningsgraden skal økes 50% og ende på 97% må den ha ligget på rundt 65% tidligere, altså 35% tap. Tror ikke det stemmer.

[hitokiri]

Om virkningsgraden skal økes 50% og ende på 97% må den ha ligget på rundt 65% tidligere, altså 35% tap. Tror ikke det stemmer.

 

Takk for tilbakemelding.

 

Om virkningsgraden er 94 prosent, forsvinner 6 prosent som varme. Ved 97 prosent forsvinner 3 prosent som varme. Det er altså en 50 prosent forbedring.

 

Jeg ser at en mellomtittel er litt uheldig formulert, og endrer den slik at det ikke misforstås.

 

Marius Valle, TU