fargerikt Skrevet 5. desember 2014 Del Skrevet 5. desember 2014 Hei! Jeg jobber med følgende(forenklet) krets: (Her er den originale oppgaven; se kun på høyre del av kretsen da jeg allerede har løst venstre del) JFET-transistoren har egenskapene UP = -3.5V og IDSS = 10mA. Oppgaven ber om resistans RD og RS slik at arbeidspunktet blir ID = 5mA og UDS = 7V.Fra formelen ID = IDSS(1 - ( UGS/UP ) )2 får jeg UGS= -1V eller UGS= -6V. Jeg velger UGS = -1V, som gir US= 1V, ettersom UG = 0V. Om vi ønsker at spenningsfallet over RDS = UDS = 7V og US = 1V, må vel spenningsfallet over RD være 12V-(7V+1V) = 4V? Dette gir isåfall RD = 800Ω og RS = 200Ω med den ønskede strømmen ID = 5mA. Ser denne løsningen grei ut? Grunnen til at jeg undrer, er at jeg har liten erfaring med FET-transistorer, og at simulatoren min ikke gir helt de samme verdiene som jeg fikk her(mistenker at dette har med konfigurasjonen av transistoren å gjøre). Takk Lenke til kommentar
Jaffe Skrevet 7. desember 2014 Del Skrevet 7. desember 2014 Dette ser riktig ut, men det er en stund siden jeg var borti FET-transistorer. Når jeg testa det i Falstad-simulatoren fikk jeg det heller ikke til å stemme. Det virker som den baserer seg på en gate-source-spenning på -6V i stedet for -1V. Lenke til kommentar
fargerikt Skrevet 9. desember 2014 Forfatter Del Skrevet 9. desember 2014 Ja, jeg det var som jeg mistenkte at det ikke er mulig å endre IDDS til 10mA i simuleringen, noe som igjen påvirker ID og gir "feil" tall. Lenke til kommentar
Anbefalte innlegg
Opprett en konto eller logg inn for å kommentere
Du må være et medlem for å kunne skrive en kommentar
Opprett konto
Det er enkelt å melde seg inn for å starte en ny konto!
Start en kontoLogg inn
Har du allerede en konto? Logg inn her.
Logg inn nå