RAM Brikken

[Mathayus]

Har skoleoppgave om pc, og RAM osv.plis hjelp.

Oppgaver RAM

 

• Hva står forkortelsen RAM for? = Random-access memory
• Hva er oppgaven til RAM brikken? =
• Nevn opp forskjellige typer RAM (minst 3 stk). Hva er forskjellen på disse rambrikkene?
• Hvordan oppgis hastigheten på RAM brikker?

 

 

Takker for alle svar!

Endret 9. september 2013 av elmoffa

[cronbach alpha]

RAM (Random Access Memory):

 

Er minne som både kan leses og skrives. Minnet er avhengig av kontinuerlig drivspenning, og hvis strømmen forsvinner går all informasjon i minnet tapt.

 

DRAM og SRAM:

 

SRAM (Er statisk RAM): I Statisk RAM er hver enkelt celle en stabil transistorkrets. At den er stabil betyr at den er konstruert slik at informasjonen huskes så lenge drivspenningen ikke forsvinner.

 

DRAM (Er dynamisk RAM): Her er hver celle bygget opp rundt kondensatorer. Når man skriver til en celle, vil kondensatoren utsettes for en spenning. Kondensatoren lades opp, og når spenningen forsvinner vil kondensatoren "huske" spenningen en liten stund (helt til kondensatoren lades ut). Siden kondensatoren husker spenningen i svært kort tid, må informasjonen stadig vekk oppdateres (gjøres av en egen kontroller som lader opp cellene et vis antall ganger i sekundet).

 

Dette kan selvfølgelig skape misstanke om at pris og feilraten kan bli påvirket, men dette er ikke tilfellet. Til tross for dette er DRAM langt billigere enn SRAM, men DRAM er tregere. Hver enkelt celle er mindre på DRAM enn på SRAM, slik at hver brikke kan inneholde flere celler (større lagringskapasitet). DRAM blir som regel brukt til primærlageret, mens SRAM blir brukt til cache.

 

Nå har jeg ikke forklart selve minnebrikkene, der du har virkemåte, dekoding, ordbreddeorganisering, kvadratisk organisering, osv. Dette kan du finne lett på nett. Du bør også lete opp informasjon om moduler og minnekapasitet, og organisering av minne på PC (SIMM og DIMM).

 

Ulike RAM-typer:

 

Fast page RAM: Den første RAM-typen som selv beregnet de neste tre adressene. De første PCer som brukte denne RAM-typen var PCer med 486-prosessorer.

 

EDO-RAM (Extended Data Out - RAM): er en forbedring av FP-RAM. Styresignalet i minnebrikkene gjør at neste aksess kan starte litt før forrige aksess er helt fullført.

 

BEDO-RAM (Burst Extended Data Out RAM): Denne ramtypen er bygget opp med noe som kalles pipeline-teknikk. Du kan se på dette som et produkt som deles opp i flere prosesser og settes sammen til et helt produkt mot slutten. BEDO-RAM kunne også hente data fra en lokasjon samtidig som det beregnet adressen til neste lokasjon og gjør at du sparer sykluser.

 

SDRAM: Skiller seg fra RAM-typene nevnt over. Elektronikken på SDRAM er nøye synkronisert med klokken til bussen. De overnevnte RAM-typene er asynkrone teknikker, det vil si at elektronikken på minnebrikken jobber helt uavhengige av klokken på bussen. Når en forespørsel kommer, vil elektronikken starte jobben med å hente data. Så overleveres data når de er hentet fram. På SDRAM er det som sagt nøye synkronisert med klokken på bussen, slik at vi får en mer optimal ytelse. Pga dette kan SDRAM bruke høyere klokkefrekvenser enn f.eks BEDO-RAM.

 

DDR-SDRAM: DDR (Double Data Rate) vil si at man bruker overgangen til høy og lav puls til å overføre data og på denne måten får man to overføringer i løpet av hver klokkeperiode.

 

DDR2 og DDR3: Er en nyere standard og tillater høyere klokkefrekvens.

 

Du har kanskje sett at om du skal kjøpe deg minne i en butikk eller på nett blir de reklamert med f.eks "Crosair Dominator DDR3 1600MHz 16GB - Kit w/2x8GB XMS3 DHX, CL9-9-9-24, Platinum". Jeg vet at en del lurer på hva CL9-9-9-24 står for og betyr, så jeg har tenkt å forklare det litt nærmere.

 

CL9-9-9-24 = CL-RCD-RP-RAS

 

Dette bygger på hvordan en celle aksesseres.

 

Synkron RAM er bygget opp av kvadratiske RAM-brikker (les deg opp om dette på nett), men det vil si at cellene i brikken er organisert som en matrise med like mange rekker og søyler.

 

Basert på adressen som skal aksesseres vil en dekoder plukke ut rett søyle, og en annen dekoder velge rett kolonne.

 

Hvordan cellen aksesseres:

 

Først presenteres adressen for rekke-dekoderen, samtidig settes et kontrollsignal som kalles RAS (Row Access Strobe), og dette kontrollsignalet er et varsel om at rekke-adressen er gyldig.

 

Nå aktiviseres rett rekke, det vil si at rekken klargjøres for aksess (noe som tar litt tid). Tiden det tar å aktivisere en linje kalles RAS-to-CAS-delay og angis i antall klokkesykluser. Denne forkortelsen skrives ofte T-rcd.

 

Når linjen er aktivisert kan man begynne å aksessere hver enkelt celle i linjen.

 

Nå presentres adressen for kolonne-dekoderen, og et kontrollsignal som kalles CAS (Column Access Strobe) settes. CAS er et varsel om at kolonne-adressen er gyldig. Etter at CAS er satt, vil det være en ventetid før den rette cellen i aktiv rekke er tilgjengelig. Denne ventetiden kalles CAS-latency (CL) og angis i antall klokkesykluser.

 

Obs! Legg merke til at tiden det tar å lese en celle innenfor den aktiviserte rekken er CL, men tiden det tar å lese en celle når INGEN rekker er aktivisert er T-rcd + CL!

 

I tillegg til disse, ser vi at det er to ventetider i tillegg, dette er T-rp og T-ras.

 

T-rp: Er antall klokkesykluser som det trengs om feil rekke er åpnet (Da må man vente litt ekstra pga oppfriskningen av DRAM-cellene før man aktiviserer den rette rekken). Så om feil rekke er aktivisert blir ventetiden T-rp + T-rcd + CL.

 

T-ras: Er antall klokkesykluser fra en bank aktiviseres og til man kan sette RAS. Så om feil bank er aktivisert blir ventetiden T-ras + T-rp + T-rcd + CL.

 

Enkelte ganger ser man en femte parameter som kalles Command Rate. Dette er klokkefrekvensen til bussen oppgitt i MHz. For eksempelet som jeg nevnte over vil det være CL9-9-9-24-1600.

Endret 9. september 2013 av cronbach alpha