Denne revolusjonerte verden - nå fyller den år

[RBW]

Du legger knapt merke til den, men alle er helt avhengig av transistoren.

 

Denne revolusjonerte verden – nå fyller den år

 

[Hårek]

Den komponenten på fingertuppen er da ikke en transistor?

 

[janleithe]

Det er ikke en transistor. Det er en OFM motstand på 4700 Ohm. Litt for dumt å gjøre sånne feil.

[morten_b]

Lekert bilde av en 0805 4.7k motstand ja... hehe

[Nilsen]

Den komponenten på fingertuppen er da ikke en transistor?

 

Hei,

 

Det er helt korrekt - takk for at du sier i fra. Vi har hentet opp feil bilde fra bildedatabasen vår, og det er rettet nå.

[maiahi]

Flott artikkel! Liker disse veldig godt da jeg ikke kan så mye om det tekniske bak slikt.

[syntEltric]

Bipolare transistorer er noe drit å forholde seg til. Alt for store humørsvingninger.

 

Gratulerer med dagen transistor. Du har ledet oss halvveis til fremtiden.

[tjbr]

Litt fritt sitert av Gordon E. Moore må jeg si.

 

Det er en generell misforståelse at det er tettheten av transistorer Moore beskrev!

 

Det er snakk om antall transistorer og ikke tettheten av trasistorer, selvom krymping av transistorer er en forutsetning for at du skal kunne øke antallet uten å forstørre produktet.

 

Hele artikkelen til Moore er tilgjengelig hos intel,

http://download.intel.com/museum/Moores_Law/Articles-Press_Releases/Gordon_Moore_1965_Article.pdf

 

Det er forøvrig en kort artikkel som er forståelig for folk flest, likevel klarer hw.no å feilsitere den

[Syter]

Hei!

 

Fin artikkel! Jeg ville lagt til en paragraf i avsnittet for atomer på flyttefot...

 

Poenget med doping er å skape et internt elektrisk felt, ettersom de ekstra elektronene fra dopinga vil søke seg til de ekstra hullene til overs fra den motsatte siden. Da vil silisiumet gå fra å være nøytralt hele veien igjennom til å ha en pluss-side og en minus-side. Forskjellige lag med doping skaper forskjellige interne felter og i en tre-lags kombinasjon vil man kunne bruke en tredje leder (gate) til å "dirigere" strømmen mellom de to hovedlederne.Enten av/på - som i en prosessor (1 og 0) eller slik at sterkstrømkretsen "svinger" i takt med inputspenninga (forsterking). Det er mange bruksområder og tilhørende forskjellige typer.

[Gjest Slettet+8713]

Å ikke benevne silisium som en halvleder, er noe som mangler i artikkelen. Det burde også nevnes at germanium blir også brukt som transistor, men har må ha en høyere spenning før den begynner å lede strøm.

En liten ting burde også nevnes at transistorer blir brukt som forsterkere til elektriske signaler.

[Hårek]

Det står da faktisk "...benyttes transistorer...vanligvis som en forsterker...", så det er jo nevnt.

[andreassaa]

http://www.fairchildsemi.com/ds/2N/2N3904.pdf

 

Kan også likne veldig på den der!

[Gjest Slettet+8713]

Det står "i dag benyttes....." av det skulle man tro den ikke ble benyttet som forsterker før.

Noe av det første transistorene erstattet var jo nettopp radiorør som forsterker og den referansen kommer ikke frem i artikkelen. Man skulle tro av artikkelen at transistoren ble oppfunnet for å lage datamaskiner, men de ble egentlig laget for å erstatte de upålitelige radiorørene.

 

En annen kurositet, så er stansistoren fjerde generasjon av brytere. Først var mekanisk ventil, så kom releer og kontaktorer deretter kom radiorør og til sist transistoren. Etter det er den bare blitt mindre, men prinsippet er ikke forandret...

[Tomle]

Anbefaler denne dokumentaren på NRK:

 

http://tv.nrk.no/program/koid24000911/de-skapte-silicon-valley

 

Litt mer av historien bak transistoren, blant annet

[LordjOX]

Anbefaler denne dokumentaren på NRK:http://tv.nrk.no/program/koid24000911/de-skapte-silicon-valleyLitt mer av historien bak transistoren, blant annet

 

Veldig bra

[Stagga89]

Hva kaller man det atomet som den enkeltatomtransistoren består av?

Transistorium?

[Uncas]

står ikke noe om de viktigste grunnen til at vi har sånt :-D

[RadonReady]

Hardware skrev: "Hvert valenselektron blir derfor delt av to silisiumatomer (elektronene har dobbeltbinding), slik at hvert atom har åtte elektroner i sitt valensskall."

 

Dette er feil.

Dobbeltbindinger er noe helt annet og opptrer som regel i større molekyler som består av karbonkjeder. Når slike bindinger opptrer i organiske molekyler, så kalles de også "umettede".

 

Det riktige er å si at elektronene deltar i elektronpar-bindinger, dvs en enkeltbinding består av et par elektroner, hvor hvert elektron i paret kommer fra hvert sitt silisiumatom. Ergo vil et silisiumatoms fulle ytterste skall (valensskallet) bestå av 8 elektroner, dvs 4 elektronpar, som gir totalt 4 enkeltbindinger, når et elektron i hvert par tilhører atomet sjøl.

Det at hvert Si-atom deltar med 4 enkeltbindinger sees tydelig på denne figuren: http://www.webelemen..._structure.html

 

Til kontrast ser man dobbeltbindinger i det karbon-baserte materialet grafen (klikk på figur, se fig a, kun bindingene vises og kulene som symboliserer selve atomene er kuttet vekk): http://physicsworld....r-than-graphene

På fig b,c og d ser man til og med trippelbindinger.

Endret 20. desember 2012 av RadonReady

[technobreath]

her er forøvrig en ekstremt bra forklaring på halvleder teknologi og hvordan det fungerer - forklart med tusj og papir. Denne karen har ekstremt mange interessante videoer om fysikk og elektronikk! Akkurat som å være tilbake på skolen med tavle og lærer - bare dette er kjekt og inspirerende å se på hehe.

 

https://m.youtube.com/watch?v=wPHG0DCWcC0