Toshiba slipper SSD-er med verdens minste minne

[Niklasp]

Har krympet produksjonteknikken til 19 nanometer.

 

Toshiba slipper SSD-er med verdens minste minne

 

[Nator]

Stilig. Prisene synker. Når jeg får en 512 GB SSD for ca 2000 kr er det overkommelig, og det tror jeg neppe er så lenge til nå.

[ull2000]

Og kympet produksjonsteknikk betyr at de tåler lavere antall overskrivinger?

[PaTrond]

Og kympet produksjonsteknikk betyr at de tåler lavere antall overskrivinger?

 

Jeg er ikke sikker, men tror svaret er nei. Hva skulle slitt på brikkene? Strøm? Vel, da ville strømmen tæret på silisiumen, noe jeg ikke helt finner fysisk mulig. Da er jeg mer inne på atomnivå, hvor det er svært krevende å endre på ting. Men molekylende kan da alltids bryte med hverande, altså at det skapes fraksjoner på grunn av temperatur, trykk, slag, etc. Tror ikke helt det skal være et problem, da. ved rundt 5nm begynner elektroner å rømme fra transistorene, dog. Dermed må man stable i etasjer eller finne opp en ny type transistorer...

[[Infected]]

Naa er jeg ikke kjent med 19nm eller produksjonsteknikken her, men krympingen fra 34nm til 25nm falt levetiden paa cellene med ca 30-40%, fra 5000 write cycles paa 34nm til 3000 cycles paa 25nm. source

 

Til gjengeld betyr mindre celler at man har mer plass til reserveceller, saa paa levetid gaar det vel opp-i-opp.

[endrebjo]

Jeg er ikke sikker, men tror svaret er nei. Hva skulle slitt på brikkene? Strøm? Vel, da ville strømmen tæret på silisiumen, noe jeg ikke helt finner fysisk mulig. Da er jeg mer inne på atomnivå, hvor det er svært krevende å endre på ting. Men molekylende kan da alltids bryte med hverande, altså at det skapes fraksjoner på grunn av temperatur, trykk, slag, etc. Tror ikke helt det skal være et problem, da. ved rundt 5nm begynner elektroner å rømme fra transistorene, dog. Dermed må man stable i etasjer eller finne opp en ny type transistorer...

Flash blir degradert ved skriving. Som Wiki nevner kan SLC takle opptil 1.000.000 overskrivinger, mens god MLC ligger på en plass rundt 10.000-30.000 overskrivinger. 34nm SLC Flash kan takle rundt 100.000 overskrivinger, mens (god) 34nm MLC ligger på 5.000-10.000 overskrivinger. Disse tallene sank med innføringen av 25nm Flash. Brukeren BAT kjører en utholdenhetstest på akkurat dette, og konklusjonen er etter hvert at SSDene stort sett takler mer enn oppgitt fra produsenten, men at de tar kvelden til slutt (riktignok bare etter ekstreme mengder skriving).

 

Akkurat hvorfor de degraderes er jeg ikke helt stø på enda. Jeg mener det kan ha noe med at floating-gate-transistorer endrer karakteristikk etter bruk. Det kreves en god del spenning for å programmere gaten (men veldig lite for å lese), og dette kan få silisiumen til å endre egenskaper etter hvert. Dette merkes spesielt på MLC hvor marginene er mindre enn på SLC.

Endret 7. juni 2012 av endrebjo

[G]

Vil ikke varmen kunne endre molekylene om den blir heftig nok? Hvordan påvirker varmen ørsmå kretser som man finner i minne/CPU?

[[Infected]]

Flash blir degradert ved skriving. Som Wiki nevner kan SLC takle opptil 1.000.000 overskrivinger, mens god MLC ligger på en plass rundt 10.000-30.000 overskrivinger.

 

Dette er bare pirk, men den wiki artikkelen du linker til bruker tall i samme storrelsesorden som storagereviews, dvs. 5-10k for (34nm) eller eldre MLC NAND og 1-3k for (25nm) nyere, saa du har lagt til en null for mye

 

MLC NAND flash used to be rated at about 5–10k cycles (Samsung K9G8G08U0M) but is now typically 1k – 3k cycles.

http://en.wikipedia.org/wiki/Flash_memory#Write_endurance

 

Men du har nok helt rett at BAT er nok definitivt den riktige personen aa snakke med om akkurat dette.

[GullLars]

Dette med hvor mange sykluser NAND er ratet til og hva det betyr er en liten vitenskap i seg selv. Produsentene opererer med noe rundt 98-99% av cellene/blokkene skal tåle oppgitte antall skriv/slett (P/E) sykluser ved deres angitte ECC nivå. At cellene skal tåle dette innebærer at data skal kunne leses ut etter 1 år "på hylla" etter data sist blir skrevet.

 

Om man opererer med litt ekstra spare area og tar høyde for at blokker må pensjoneres kan man se på levetiden til de beste 95% i stedet og kan fort øke en slik ratet forventet levetid med 30-40% eller mer, og enda mer om man legger på kraftigere ECC. Om produsenten setter av godt med ekstra spare area (mer enn standard 7%), pensjonerer blokker i grei tid og bruker godt med ECC kan man godt regne levetid for de beste 90% eller 85% av blokkene, og da kan man mangedoble levetid til tilsvarende eMLC (som er gjordt ved binning og ECC mener jeg på) til en lavere kostnad.

 

Uansett, som andre over her har påpekt, antallet skrivesykluser er lite relevant for forbrukere. 3000 sykluser betyr i praksis ca 5 år med en hel overskriving av SSDen pr dag (sett bort fra Write Amplification), for så å trygt tåle et år på hylla som man kan hente ut data om man vil. For en 128GB gir 3000 sykluser 384TB med data skrevet. En OS partisjon med programmer og litt diverse bruker som regel i område 1-10TB i året = ca 3 - 30GB pr dag. Selv 1000 eller til og med 500 skrivesykluser ville ikke vært noe problem å tenke over for de aller fleste forbrukere så lenge det blir håndtert ordentlig (wear leveling) med kapasiteter på 128GB+

Endret 7. juni 2012 av GullLars