Minnetiming ASUS P5B-E Plus?

[TheEdge]

Hei

 

Har noen spørsmål angående minnetiming/oppsett.

 

Har følgende maskinvare:

 

Asus P5B-E PLUS

Intel Core 2 Duo E6420 2.13GHz

2 x HYNIX 2GB DDR2 800Mhz PC6400 (HYNIX HY5PSIG421 MP-E3 a 550A chip'er)

 

Nedenfor finnes screenshots fra CPU-Z og detaljer om minnebrikkene.

 

Jeg har aldri satt meg inn i dette med minnetiming. Jeg lurer derfor på hvilke innstilling som vil være best her. Kjører på standard frekvenser, altså ikke noe overklokking.

 

 

Jeg undres på, i CPU-z står det max bandwith PC2 4300 (266MHz)

Hvorfor det når minnebrikkene er oppgitt til 800MHz og 6400? Er minnebrikkene dårligere enn oppgitt?

Det står også at bus speed er 266, jeg trodde denne skulle være 400..?

 

Men som sagt, dette har jeg ikke satt meg inn i, så jeg er kanskje helt på viddene.

Er det noen som kan oppklare litt, og evt. si noe om hvilke timing jeg bør kjøre på??

 

 

Har også en Intel Core Duo E6600 2,4 GHz liggende, er det noe poeng å sette i denne fremfor E6420?

 

 

 

Detaljer om minnebrikkene:

 

Memory Size: 2GB DDRII 240 Pin

Number: Qty 2 x 2GB

Memory Speed: 800 Mhz

Non ECC

Non Registered

UnBuffered

Cas Latency 5 ( CL5)

6 Layer

Non Parity

 

• 240-pin unbuffered DIMM

• Density: HIGH DENSITY

• Maximum 6.4GB/s bandwidth

• JEDEC standard 1.8 +/-0.1V power supply

• 128x8 8 Chip component configuration

• CAS Latency 5

• Off-chip driver (OCD) impedance adjustment, and on die termination (ODT)

 

* JEDEC Standard 240-pin Dual In-Line Memory Module

* DESKTOP DIMM

* Performance: PC2-6400

* DQ DQ Burst Frequency: 800 MHz

* Inputs and outputs are SSTL-18 compatible

* SDRAM have 4 internal banks for concurrent operation

* Differential clock inputs

* Data is read or written on both clock edges

* Bi-directional data strobe with one clock cycle preamble and one-half

clockpost-amble

* Address and control signals are fully synchronous to positive clock edge

* Programmable Operation:

* Device CAS Latency: 4, 5

* Burst Type: Sequential or Interleave

* Burst Length: 4, 8

* Operation: Burst Read and Write

* Auto Refresh (CBR) and Self Refresh Modes

* Automatic and controlled precharge commands

* Serial Presence Detect

* SDRAMs in FBGA Package

* RoHs compliance